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DMN2013UFDE
1.4
1.2
1.0
0.8
20
15
0.6
0.4
0.2
I D = 250μA
I D = 1mA
10
5
T A = 25°C
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
10,000
10
1,000
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
8
6
4
2
V DS = 10V, I D = 8.5 A
100
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
20
0
0
5
10 15 20 25 30 35
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate Charge
40
100
10
R DS(on)
Limited
DC
P W = 100μs
1
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
0.1 T = 150°C
0.01
P W = 1ms
J(max)
T A = 25°C
V GS = 8V
Single Pulse
DUT on 1 * MRP Board
0.01 0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
100
DMN2013UFDE
Document number: DS35701 Rev. 7 - 2
4 of 6
www.diodes.com
April 2013
? Diodes Incorporated
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